随着电子、通讯产业的蓬勃发展，液晶显示器的需求与日剧增，大尺寸如液晶显示器、液晶电视，中小尺寸如手机、数码相机等。这些产品都是以轻薄短小为发展趋势的，这就要求必需有高密度，小体积，能弯曲安装的新一代封装技术来满足以上需求。而COF（chip on flex）技术正是在这样的背景下迅速发展壮大，成为LCD、PDP（Plasma Display Panel）等平板显示器的驱动IC的一种主要封装形式，进而成为这些显示模组的重要组成部分。COF技术已经逐渐成为液晶显示器的驱动IC封装的主流趋势，市场前景十分广阔。目前COF生产技术多被国外垄断，COF的主要生产商多为日本、韩国等公司。但就国内而言，能生产COF的厂商几乎没有，COF行业还处于探索起步阶段，很多问题有待解决。本文主要对COF基板生产过程的关键技术做了大量的预研工作，并取得了以下成果：基材的尺寸稳定性方面：通过测量孔径和误差之间的关系，找到引入误差最小的孔，能更准确的测量材料的胀缩率；真空层压后测量基材的尺寸稳定性，确定出了三种符合COF技术要求的基材。光致抗蚀剂方面：通过对比干膜和湿膜的感光性能、分辨率、附着力、操作工艺等，发现干膜性能稳定，30μm厚度的干膜其性能可以达到COF基板的要求；并对干膜的曝光参数进行了优化，使其更加适合于精细线路的制作。铜箔微蚀减薄方面：研究了H₂SO₄／H₂O₂和H₂SO₄／Na₂S₂O₈微蚀液的蚀刻速率，确定了这两种微蚀液的最佳配方和最佳工作温度；通过实验发现，当铜箔减薄到5μm时，微蚀液的蚀刻不均匀性超过了精细线路对于不均匀性在10％以内的要求，并且伴随着无法避免的针孔问题，因此不建议使用，而应该改用质量可靠的超薄铜箔商品减成法制作精细线路方面：研究了铜箔厚度、曝光能量、蚀刻线速度对于精细线路质量的影响，特别是蚀刻时间对侧蚀的影响，确定了8μm铜箔、250mJ曝光能量、6级曝光级数、3．50m／min蚀刻线速度为生产COF基板的最佳工艺参数。半加成法制作精细线路方面：研究了蚀刻药水、底铜厚度、Ni-Cr比例对于差分蚀刻效果的影响，确定了H₂SO₄／H₂O₂蚀刻液、2μm底铜、92：8的Ni-Cr比最适合差分蚀刻工艺；明确了半加成法能有效抑制侧蚀，线路截面能保持理想的矩形，尤其适合制作精细线路。电镀铜方面：研究了直流电镀和脉冲电镀的效果，确定脉冲电镀能提有效高镀层均匀性和镀层的弯折强度。本课题对COF基板关键技术做了大量的预研工作，并成功试制出了线宽／线距为50μm／50μm和30μm／30μm的COF基板，实验证明COF基板的生产是完全可行的，其发展前景一片光明。