氟碳聚合物（a-C:F）薄膜有着非常广泛的应用价值。该膜具有较好的疏水性,极低的介电常数（1.6-2.1）和生物相融性。作为疏水层应用在纸张、玻璃等材料上;作为介电层应用在超大规模集成电路中;作为钝化层应用在生物相融性材料中。微电子技术和大规模集成电路的快速发展,二氧化硅（SiO₂）薄膜由于其稳定的化学性质和电绝缘性质,在集成器件中显示出它的重要地位,该薄膜的制备工艺也成为集成电路制造技术中的关键工艺之一。同时SiO₂薄膜还具有硬度高、耐磨性好、绝热性好、光透过率高、抗侵蚀能力强以及良好的介电性质。本文成功的利用低气压介质阻挡等离子体增强化学气相沉积法（DBD-PECVD）在滤纸、玻璃和硅片上分别以C₄F₈,C₃F₈和CH₂F₂等离子体制备出大面积性能良好的a-C:F薄膜。利用傅立叶红外吸收光谱、扫描电子显微镜、原子力显微镜、光学接触角测试仪和台阶仪对薄膜进行了检测,同时还用发射光谱对等离子体进行了诊断。结果表明:等离子体种类和放电气压能够影响薄膜的化学成份和表面形貌。以滤纸为基底的薄膜接触角较大,具有良好的疏水性。当薄膜厚度达到160nm时,薄膜可以完全覆盖住基底表面,不改变基底性质,疏水性较稳定。薄膜接触角与薄膜的化学成份和基底的表面粗糙度有关。C₄F₈和C₃F₈等离子体制备的薄膜接触角较大,CH₂F₂等离子体制备的薄膜中含有CHx （x=1,2,3）基团,影响它的疏水性,薄膜接触角较小。本文也利用低气压DBD-PECVD法在硅片上采用TEOS/O₂等离子体制备出性能良好的SiO₂薄膜。薄膜经傅立叶红外吸收光谱,X射线光电子能谱,原子力显微镜,基于原子力显微镜的纳米压痕/纳米磨损检测,导电式原子力显微镜和台阶仪检测后研究发现,随着O₂含量的增加,薄膜中碳氢化合物含量降低。O₂含量较高时,制备出的薄膜含杂质较少,结构致密,表面光滑平整。同时薄膜表面覆盖一层碳含量较高的导电软层,厚度为0.5nm-1.5nm。这个软层可能是在薄膜生长过程中,具有高能量的离子和薄膜的表面发生相互反应而生成的。