近年来,随着石墨烯的发现二维材料开始蓬勃发展。在追逐石墨烯的同时,一大批石墨烯之外的二维材料也被相继开发出来。其中金属硫化物是半导体材料大家族中非常重要的组成部分,β-In₂S₃纳米材料更是有别于其块体材料而具有许多新颖的性质,被广大科研工作者所关注,但是控制合成β-In₂S₃纳米材料仍然存在很多困难。本论文通过化学气相沉积法制备了单层及少层β-In₂S₃晶体薄膜并对其进行了表征和分析,并对一定条件下形成的荧光增强气泡也进行了分析。（1）通过化学气相沉积法在单晶石墨片、MoS₂薄膜和WS₂薄膜衬底上制备了单层及少层β-In₂S₃晶体薄膜,总结了影响沉积的β-In₂S₃形貌的多种因素,进而总结出制备β-In₂S₃-WS₂垂直异质结的优化生长工艺,并对其进行了一系列的表征。发现单层及少层β-In₂S₃与MoS₂、WS₂之间的层间耦合都是弱耦合。随后对β-In₂S₃-WS₂垂直异质结进行了光电性能的研究:它的开关比约为10,迁移率约为1.04×10^-4cm²/Vs,在入射光功率密度为25.48W/cm²时,其光响应电流可达1.59 nA,入射光功率密度为0.06 W/cm²时,其光响应率达6.2 mA/W。（2）制备异质结的过程中伴随产生了一种具有震荡光环外观的气泡,并通过对WS₂晶体进行退火也产生了这种气泡,设计实验探究了气泡的成因。对这种气泡进行了一系列的探究,发现气泡形状上符合球冠模型,光学上符合等厚干涉模型,探究了形成气泡后WS₂薄膜的光致发光光谱和拉曼光谱的变化,并证实了形成气泡后WS₂薄膜具有震荡光环的光学外观以及光致发光光谱和拉曼光谱中峰强的震荡现象均是由光的干涉增强和干涉相消造成的。