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F掺杂SnO_2(FTO)薄膜由于具有优异的透明导电性能而备受关注,但目前在低温下采用磁控溅射法制备性能优良的FTO薄膜还缺少系统的研究。因此,本文以Sn+SnF_2为靶材,在Ar+O_2气氛下采用反应磁控溅射法制备了FTO薄膜。通过干涉显微镜、XRD、Hall效应测试系统和紫外-可见分光光度计系统地研究了不同溅射功率、SnF_2含量和基底温度(T_S)下O_2流量对薄膜结构与光电性能的影响。结果表明,制备FTO薄膜的O_2流量随溅射功率的增加而增大,但随SnF_2含量和T_S的增加变化不大。在各溅