随着集成电路特征尺寸的不断减小至32nm甚至以下时,互连线延迟成为了提高集成电路整体性能的瓶颈。本论文针对降低先进互连的RC延迟,开展了进一步降低电阻的铜接触工艺研究；和对电容影响的化学溶液对低K介质损伤研究。论文第三章研究了带有Co/TaSiN, Ru/TaSiN双层结构阻挡层的铜接触体系的热稳定性和电学稳定性。之后通过在TaN和NiSi衬底之间淀积一层Si,来研究Co, Ru/TaSiN双层结构阻挡层的Cu接触系统的优越性。在第三章最后我们尝试采用四点弯曲粘附性测试法,对TaN/NiSi和TaSiN/NiSi界面进行粘附性测试,量化粘附性的改变。但由于实验刚刚开始不久,未能得到测试结果。论文第四章,集中讨论了H碱性阻挡层抛光液和A酸性阻挡层抛光液对于诺发公司low-k (K=2.55) SiOCH的化学性能、机械性能、电学性能和介电性能的影响。结果表明,如果在弱碱环境下,抛光液对于low-k的影响是可以和酸性处理low-k相当的。之后研究了商业化C抛光液对于不同超低K介质材料(K=2.25,2.35)的影响,实验结果表明,low-k样品经过C抛光液处理后,表面趋于亲水化。产生这一趋势的主要原因是疏水基团Si-C在经过抛光液处理后的部分流失。K值越低的样品碳缺失越严重。第四章末尾仍采用四点弯曲测试法,对于不同阻挡层和low-k衬底之间的粘附性进行了测试,得到了Ta/low k界面比Pt/low k界面有更高的界面粘附能。给出了实验中存在问题的解决方案。