HSGFET型高灵敏度O<,3>传感器的研制及其理论分析

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该文用表面态和能带论的观点,系统地分析了气体在敏感膜表面吸附时造成表面功函数的变化以及器件的工作原理,同时全面考虑其它因素如晶界电势及吸附气体在敏感膜内的扩散等对响应过程的影响.实验中选用不同材料的复合配比及不同成膜工艺制作敏感膜.并采用双敏感膜结构,与不同类型IGFET组合,研制成检测ppb范围臭氧浓度的高灵敏度复合悬浮栅场效应晶体管(HSGFET)臭氧传感器.测量并比较了不同悬浮栅基片和不同敏感膜的HSGFET臭氧传感器的灵敏度和响应特性,以及温度对传感器响应特性的影响,并在上述理论模型的基础上对实验结果进行了计算机模拟.
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