在集成电路制造中,以光刻技术为主要方法的微细加工是实现大规模集成电路的一个关键技术,单个半导体器件的几何尺寸的大小依赖于该技术的不断进步,芯片集成度的突飞猛进得益于该技术的快速发展。目前在光刻工艺中需要使用掩模版将设计图形转移到晶圆上。通常在设计制造掩模版时需要考虑曝光光源的影响,所以需要对掩模版上图形进行一定的修正,从而避免或减小图形的失真。但是对于不同的曝光光源对掩模版图形的修正具有不同的方法,同时掩模版所使用的相移掩模厚度也会不同,将造成掩模版无法在不同光源的光刻机上使用,从而造成生产资源的闲置,间接造成制造成本的增加。本论文将研究将KrF掩模版应用于ArF曝光机上,首先通过光刻胶的性能选择合适的ArF光刻胶,再用prolitho仿真软件的模拟,确定最佳的光刻胶厚度。再对ArF光刻机的制程参数进行调整及优化,选择最佳的NA及Sigma。同时与基准制程(KrF制程)相对比,通过实验找到ArF工艺最佳的DOF及曝光能量,从UDOF及EL确定工艺窗口ArF工艺大小。为了能够得到良好的CD,通过CD均匀性实验,检查硅片上CD的整体情况,同时通过对光阻做ADI及AEI剖面图,检查在显影及蚀刻工艺后的光刻胶情况。最后经过2个LOT的试生产检查产品是否具有缺陷。经过以上工作使得ArF曝光机能够兼容KrF掩模版,从而大大提高ArF机台的利用率,达到提高产量并减小成本的目的。