ZnO压敏陶瓷因其具有优良的压敏性能,普遍应用于计算机、家用电器、高压电电路、以及大功率型电路设备中,同时,ZnO-Bi₂O₃系压敏陶瓷是压敏陶瓷里研究最为广泛的体系。随着电子-电力产品的集成化、微型化、功能化发展,多层式ZnO压敏陶瓷的制备研究及性能优化越来越受到研究学者的重点关注。为了实现银浆与ZnO压敏陶瓷的共烧及电性能的优化,本论文通过掺杂的方式研究了低温烧结助剂（BST）、添加剂In₂O₃,Ga₂O₃,La₂O₃和Co₃O₄的掺杂对ZnO-Bi₂O₃-MnO₂-SiO₂-TiO₂压敏陶瓷相结构、微观结构、致密性和电性能的影响规律,探究了添加剂优化电性能的作用机制,实现了性能优异的ZnO-Bi₂O₃系压敏陶瓷的低温制备。论文研究获得以下主要结论:1.选择ZnO-Bi₂O₃-MnO₂-SiO₂-TiO₂五元体系开展压敏陶瓷性能研究,确定Bi₂O₃.TiO₂,和SiO₂的摩尔比为6:3:4,实现了ZBMST压敏陶瓷的低温烧结。研究结果表明,在875℃烧结温度条件下,ZBMST压敏陶瓷致密度较高,相对密度97.6%,电压梯度717.1 V/mm,漏电流密度0.38μA/cm²,非线性系数5.5,具有较高的介电常数和较低的能量损耗。2.在ZnO-Bi₂O₃-MnO₂-SiO₂-TiO₂五元体系中分别掺杂In₂O₃,Ga₂O₃和La₂O₃,研究了添加剂对压敏陶瓷结构与性能的影响,揭示了其改性电性能的作用机制。结果表明,掺杂0.075 mol%的In₂O₃,In₂O₃与ZnO发生固溶,且能促进富铋相的分散,掺杂低禁带宽度的In₂O₃能有效提高非线性系数;其电压梯度为816.6V/mm,漏电流密度为0.35μA/cm²,非线性系数提高至15.7,介电损耗小。La₂O₃难以与ZnO发生固溶,但La₂O₃掺杂会促进MnO₂、SiO₂溶解到富铋相中,细化晶粒尺寸,使非线性系数略有提高。Ga₂O₃的掺杂能够明显细化ZnO晶粒,但由于其禁带宽度较高,掺杂反而会降低非线性系数。3.通过对ZnO-Bi₂O₃-MnO₂-SiO₂-TiO₂-Co₂O₃六元压敏陶瓷结构与性能的研究,实现了压敏陶瓷电性能的优化提高。结果表明:BST掺杂为0.25 mol%时,压敏陶瓷的电性能较好,电压梯度为301.2 V/mm,漏电流0.028μA/cm²,非线性系数为39.8;Co₃O₄掺量为0.75 mol%时,压敏性能较佳,电压梯度为526.2V/mm,漏电流密度为0.027μA/cm²,非线性系数为43.4,且具有较低的介电常数和较低的能量损耗。