【摘 要】
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巨磁电阻效应因其在高灵敏度的磁记录读出磁头,以及高密度、高容量的随机存储器等中的广阔应用前景,近年来一直成为材料科学的研究热点.在这种背景下,该文就偏置型的自旋阀多
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巨磁电阻效应因其在高灵敏度的磁记录读出磁头,以及高密度、高容量的随机存储器等中的广阔应用前景,近年来一直成为材料科学的研究热点.在这种背景下,该文就偏置型的自旋阀多层膜结构NiO/NiFe/Cu/NiFe作了较为深入的研究.首先研究了反铁磁材料NiO与铁磁材料Ni<,81>Fe<,19>的交换耦合作用.在未加外磁场时研究了双层膜的磁特性和基片温度的关系.研究了NiFe和NiO厚度对双层膜NiO/NiFe的矫顽力H<,C>和交换耦合场H<,Ex>的影响.用射频溅射法制备了偏置型自旋阀多层膜 NiO/NiFe/Cu/NiFe,并研究了它的磁电阻效应和被钉扎层NiFe、自由层NiFe厚度的关系.用经典量子统计理论计算了NiO/NiFe/Cu/NiFe的巨磁阻效应,当取N<,b>=5,λ<↑>=8nm时,理论结果与实验结果较吻合.
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