20世纪80年代以来，因为纳米材料用途广泛的电学和光学性质，它们得到普遍关注。过去的二十年里，特别是美国发起的纳米技术革命以来，基于纳米材料构建的纳米器件成为纳米科学技术的前沿领域。本论文中，我们主要采用燃烧法和真空蒸镀法合成了两种纳米材料，并在此基础上组装了紫外光探测、场发射等纳米器件，并对这些器件性质进行了研究。　　 首先，作者采用燃烧合成法制备了直径约几十纳米、长度约几百微米的单晶α-Si3N4纳米线。我们组装了基于单根a-Si3N4纳米线的紫外光探测器件，并测量了其紫外光照下的电流电压特性。在254nm波长的紫外光照下，器件的电流呈现了瞬间的跳跃特性。快速的响应和恢复特性以及很好的重复性使a-Si3N4纳米线成为又一种日盲紫外探测替代材料。这种亚带隙的光电导现象归因子带隙中杂质能级的存在。　　 其次，作者采用真空蒸镀法合成了松树状的M002纳米阵列。阵列中的每棵“松树”拥有粗细约0.8-3μm、长度约12μm的“树干”。而“树梢”是直径约8nm、长约1-2μm的纳米线。作者对阵列的场发射性质进行了研究。在阴极和阳极之间距离为500μm时，场发射开启场强为2.39V/μm，场增强因子β为3590。9小时的稳定性测试表明场发射电流没有明显的衰减，电流波动小于±9.2％。如果将树干和树梢看成一个整体，考虑屏蔽效应之后的场增强因子理论计算值与实验值不吻合。作者引入了二级发射的模型很好解释了这个矛盾。