氧化锡(SnO2)是一种具有直接带隙的宽禁带半导体材料，室温下氧化锡的禁带宽度是3.62eV，具有130meV的激子束缚能，另外，氧化锡的制备温度较低、物理化学性质稳定，因此氧化锡是一种很有前途的紫外和蓝光材料。 　　本文回顾了近年来氧化锡薄膜的研究近况，报道了我们用射频磁控溅射法制备Sb掺杂氧化锡薄膜的制备方法、发光特性、发光机理以及制备条件对薄膜发光的特性的影响，包括不同的制备功率、不同的退火环境和温度、不同的制备氧分压和不同的测试温度。采用常压化学气相沉积(APCVD)方法制备了未掺杂氧化锡薄膜，研究了其结构和光致发光特性。 　　第一章介绍了氧化锡薄膜的研究近况，基本性质，论述了研究课题的选题动机。 　　在第二章中，介绍了本实验所用的射频溅射系统，阐述了溅射原理及其各部分组成。详细介绍了研究氧化锡薄膜的测试方法和仪器设备的型号及原理。薄膜的结构特性使用RIGAKUD-MAX-γA型X射线衍射仪(CuKα射线源，波长λ=1.54178A)来测试的，薄膜的形貌是用美国Park公司生产的APHM-0190型原子力显微镜(AFM)观察的，薄膜的发光特性研究是采用HitachiM-850型光谱仪。 　　第三章和第四章分别介绍了Sb掺杂氧化锡膜的制备过程和制备条件对发光特性的影响以及纯氧化锡薄膜的制备和发光特性。在掺杂氧化锡的制备过程中，选用纯度为99.99％SnO2：Sb2O3陶瓷靶为源材料，选用玻璃衬底制备出具有较强紫外发光性能的氧化锡薄膜。射频溅射淀积的氧化锡薄膜为具有四方金红石结构的多晶薄膜，且具有(¨0)方向的择优取向。在制备未掺杂的氧化锡薄膜时，使用的是常压化学气相淀积法(APCVD)，制备薄膜同样是具有四方金红石结构的多晶薄膜，但不具备(110)方向的择优取向。