基于二维半导体的纳米晶体管仿真与设计

来源 :电子科技大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户：likeren1

【摘要】

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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技

【作者】

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郑薇

【出处】

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电子科技大学

【发表日期】

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2018年01期

【关键词】

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介观输运非平衡格林函数量子建模无结型场效应晶体管隧穿场效应晶体管二维层状过渡金属硫族化物

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ue＊M＃’＃dkB4＃＃8＃”专利申请号:00109“7公开号:1278062申请日:00.06.23公开日:00.12.27申请人地址:（100084川C京市海淀区清华园申请人:清华大学发明人:隋森芳文摘:本发明属于生物技术领域,包括主机、控制电路和计算机三部分组成,主机包括由棱镜。敏感膜敏感芯片、半导 Ue*M#

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