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薄膜催化剂化学气相沉积(CVD)法是制备高定向阵列式碳纳米管的有效方法之一。金属催化剂薄膜的制备一般采用物理气相沉积(PVD)法,PVD的基底温度决定了薄膜的生长方式和薄膜的表面形貌,进而影响薄膜的催化性能。但目前国内外对这方面的研究还较少。在薄膜催化剂化学气相沉积(CVD)法是制备定向阵列式碳纳米管过程中,通入NH3对催化剂薄膜进行前期处理可以促进碳纳米管的定向生长,但由于实验设备和采用参数的差异,目前研究者们对NH3的作用机理及重要性还没有统一的认识。本文采用金属蒸汽真空