便携式产品的小型化促使其中的电源管理芯片如DC/DC变换器向着微型化方向发展,同时为了提高电路性能如降低电感电流纹波、提高最大负载电流,提高整个系统转换效率等等使得在不降低芯片效率的同时需要提高开关频率、所以需要选用性能较好的微电感作为主要元器件。这使得市场对研制高功率、低损耗的微型化器件提出了迫切的需求。目前应用于DC/DC变换器的集成微电感需要满足如电感量和Q值相对较大、器件占用面积小、饱和电流大以及工艺兼容等要求。MEMS技术的迅速发展为研制高性能的集成电感提供了可行性,将薄膜技术融入到MEMS技术中可以研制出具有低电阻、高电感量、高品质因子及可以批量化生产的集成微电感,满足于各种应用下的电源管理系统。本文完成的工作主要包括采用Agilent E4991A射频阻抗/材料分析仪和振动样品磁强计(VSM)对磁芯材料性能进行测试研究;从电磁场理论出发,结合平面线圈电感计算、磁头理论的基本模型以及片上电感的简化π模型对微电感进行建模设计;采用MEMS技术包括光刻、电镀、溅射、刻蚀及聚酰亚胺相关工艺等研制出所设计的不同参数的微电感器件,最后采用HP4194A以及Agilent E4991A射频阻抗/材料分析仪对微电感器件进行了性能测试及分析。结果表明高温退火的FeCuNbSiB纳米晶薄带适合用作微电感的磁芯材料,同时匝数在10~20之间的电感在1-10MHz下具有较为合适的电感量和Q值。