钛酸钡材料（BaTiO₃,BTO）沉积到Si基板之后形成的BTO/Si异质结构在MOS晶体管、太阳能电池等领域表现出了巨大的应用潜力。对于这种氧化物/Si结构来说,界面处形成可控的且强度够高的内建电场至关重要。然而,对于传统的晶态氧化物,受到材料固溶度的限制,通过掺杂的方法难以在不改变材料性能的同时获得满足器件要求的载流子浓度。因而探索一种新的方法来控制材料中产生足量且可控的可参与形成内建电场的有效载流子对拓展相关半导体器件的应用有重大意义。本文以p-Si（111）为基板,利用RF磁控溅射在室温下先沉积而后再进行后续热处理的方法制备出了具有某种特定网络结构的非晶态BTO薄膜。结果发现,非晶态BTO薄膜的网络结构状态可以通过退火进行调整:退火温度从沉积态升高到420℃时,Ti与O之间不断地通过共价键进行键合,Ti-O网络逐渐完整,这将使O 1s与Ti 2p的结合能差从71.53eV升高到71.67eV;当退火温度继续升高时,Ti-O网络畸变程度下降,O 1s与Ti 2p的结合能差开始下降。Ti-O网络的这种不同的形成状态决定了BTO/p-Si界面处内建电场的大小:当退火温度低于340℃时,BTO/p-Si异质结的平带电压仅约为-3V;而当退火温度达到370℃及以上时,平带电压剧烈改变,达到了约-13V;而当退火温度继续升高到500℃时,平带电压恢复为约-3V;对于700℃退火的晶态BTO薄膜,其平带电压仅为-1V左右。另一方面,针对目前难以在Si基板上获得具有1-3型结构复相多铁薄膜的难点,本文利用RF磁控溅射在p-Si（111）基板上制备了BTO与Ni_0.5Zn_0.5Fe₂O₄（NZFO）复合形成的BTO-NZFO复相薄膜。结果表明,800～1000℃的退火处理将使薄膜中的NZFO呈独立颗粒状分布,颗粒尺寸约为1μm,使薄膜表现出类似1-3型的结构,并且这些NZFO相具有（100）的晶体学择优取向。