SnO2纳米材料的制备、表征及其气敏特性研究

来源 :山东师范大学 | 被引量 : 0次 | 上传用户:felixzhu2005
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由于纳米材料有比传统材料颗粒尺寸小、比表面积大等特点,因此,纳米材料具有传统材料不具备的奇异或异常的物理和化学等特性。从而,纳米材料在生物医学、精细化工、气体传感等领域有着广泛的应用,因而受到人们越来越多的关注。SnO2纳米材料具有异于传统材料的光学、电学、磁学、气敏、电化学发光等特性。因此,它们在光电材料、催化剂、传感器等多个方面应用较为广泛。但在众多气体传感器中,三乙胺(TEA)气体传感器鲜有报道。本文的研究内容主要包含三个方面。第一,我们通过热蒸发法在溅射Au薄膜的SiO2(300 nm)/Si片上成功制备出大量SnO2纳米线/纳米点修饰的SnO2微米棒,并对制备的样品进行详细的形貌、结构表征;第二,我们对形貌较好的SnO2纳米线/点修饰的SnO2微米棒样品进行系统的气敏测试;第三,我们简单分析了SnO2纳米线/纳米点修饰的SnO2微米棒的生长机理与气敏传感机制。主要内容如下文所示。1.采用磁控溅射法在SiO2(300 nm)/Si片上沉积约3.5 nm厚的Au膜,并以此为衬底。通过热蒸发法Sn粉作为源材料在不同制备温度(900、950、1000、1050℃)、不同制备时间(20、40、60、80 min)和不同运载气体流量(40、60、80、100 sccm)条件下成功制备出大量的SnO2纳米线。通过X射线衍射(XRD)、拉曼光谱(Raman)、扫描电子显微镜(SEM)、能量散射X射线谱(EDS)、透射电子显微镜(TEM)、选区电子衍射(SAED)对其形貌、结构表征,得到最优的制备条件(1000℃,60 sccm,20 min),并讨论了制备样品的生长机理。对最优制备条件下制备的样品进行一系列的气敏测试,得出基于SnO2纳米线气体传感器对三乙胺(TEA)气体有较低的检测限度、最佳测试温度为200℃、较快的响应/恢复时间、较好的气体稳定性和选择性。我们还讨论了基于SnO2纳米线气体传感器的气敏机制。2.由气体传感机制可知气体传感与材料表面有关,即表面越粗糙,比表面积越大气体传感器的性能越好。因此,我们尝试用相同的制备方法,不同的源材料来改善制备材料的表面。Sn和SnO(3、4、5、6:1)作为源材料,利用热蒸发法成功在溅射Au薄膜的SiO2(300nm)/Si衬底上制备出大量纳米点修饰的SnO2微米棒。通过XRD、Raman、SEM、EDS对其进行形貌与结构表征,并讨论了样品的生长机理。因为Sn和SnO(5:1)与Sn和SnO(4:1)作为源材料制备的纳米点修饰的SnO2微米棒量较大,且表面点颗粒较明显,所以我们对Sn和SnO(5:1)与Sn和SnO(4:1)制备出的样品进行了详细的气敏测试。得出基于纳米点修饰的SnO2微米棒气体传感器比基于SnO2纳米线气体传感器有更低的三乙胺(TEA)气体检测限度、更高的三乙胺(TEA)气体响应和更好的气体选择性。由此得到:纳米材料表面变粗糙气体传感性能越好。我们又简单分析了基于纳米点修饰的SnO2微米棒气体传感器的传感机制。
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