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该文从理论上对低维半导体系统的非线性光学性质进行了多方面的研究.推导了若干半导体微结构的非线性极化率的表达式,研究分析了光波在量子点中的拉曼散射过程,对柱型量子点可能出现的本征型光学双稳态作了预言.文中对电子状态的处理均采用有效质量近似方法.全文可分为三部分.第一部分是关于非线性极化率的讨论.第二部分研究了量子点系统的斯托克斯喇曼效应.第三部分是关于柱型量子点本征型光学稳态的研究.