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Ga_2O_3是一种很重要的宽禁带半导体材料,它有很好的热稳定性,且击穿电压高,电子漂移速度大。因此,Ga_2O_3成功地被应用于MESFET,MOSFET,SBD等功率器件中。另外,在紫外光电器件,半导体激光器和太阳能电池等方面,Ga_2O_3也是一种很有应用前景的材料。为了实现高灵敏度且波长可调的光电探测器,且发挥Ga_2O_3的宽禁带特性,研究者们通过掺铝成功提高了Ga_2O_3薄膜的禁带宽度。本征缺陷在材料的特性上起了重要作用,然而并未有人结合本征缺陷系统地从理论上研究过Al掺杂Ga_2O_