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PZT薄膜因其优良的介电、铁电、热释电等性能,广泛的应用于微电子学、光电子学、集成光学和微电子机械系统等领域,是作为铁电存储器,红外探测器和微型加速度计等控制部分的理想材料。由于PZT薄膜材料具有较强的结构各向异性,所以控制薄膜取向,研究结晶性能以及电学性能的提取成为人们关注的焦点,也是该材料在各种器件应用中需要解决的问题。本文围绕PZT薄膜的制备、性能及应用等问题进行研究。本文采用溶胶-凝胶法,成功制备出钙钛矿型PZT52/48薄膜。在制备过程中采用差热分析方法,确定了薄膜各生长阶段的