本论文以纳米材料制备科学为基础,研究了一维硒、碲及其化合物的不同的制备方法及它们生长特点;研究了各产物的结构和物性.主要研究内容和结果摘要如下:1.以氧化铝为模板采用电沉积方法成功地制备了单质半导体Te和它的化合物CdTe、PbTe的纳米线阵列体系.扫描电镜和透射电镜观察表明这些半导体纳米线是均匀连续的.2.采用化学溶液法结合超声化学制备了大量Se、Te胶体小球(300~500 nm)和纳米线.分别采用XRD、TEM、SEM、HREM等对产物的形貌、结构、纯度进行了表征.并对它们不同的生长阶段进行了详细的观测与分析,由此分析推断了它们的自然倾向于形成一维纳米结构特性和生长机理,即纳米线的生长过程大致分三个阶段.3.测试分析了Te/Al<,2>O<,3>纳米阵列体系的Raman散射特性和溶液法制备的分散的Te纳米线的Raman散射光谱.4.测试了Te/Al<,2>O<,3>纳米线阵列体系原位变温XRD衍射谱.5.测试了硒纳米线乙醇胶体溶液的光吸收谱.6.测试和分析了碲纳米线/Al<,2>O<,3>阵列体系的光偏振性.通过分析纳米线的偏振性原理和碲晶体本身的各向异性,确立了碲纳米线阵列偏振的机理.通过上述工作的开展,我们获得了一些硒、碲及其化合物纳米材料的制备技术,揭示了硒、碲及其化合物纳米结构的一些物理性质.