硅基半导体作为人类信息技术的材料基础已有六十年的历史，随着信息技术不断发展以及多媒体终端不断小型化，对于存储器的存储密度提出了更高的要求。人们通过开发精密的光刻技术和先进的制造工艺，不断使器件微型化，极大提高了存储器的存储密度。现在，器件微型化已经面临着种种物理极限的限制，必须寻找新的思路来解决存储密度的问题。　　本实验将带有两个吸电子基团的萘酰亚胺并咪唑受体和咔唑、三联噻吩给体引入到聚硅氧烷中作为侧链，合成了聚硅氧烷PNDISi-alt-CzSi和PNDISi-alt-T3Si。DSC和TG测试结果表明它们的热力学稳定性优异。AFM测试表明PNDISi-alt-CzSi和PNDISi-alt-T3Si薄膜表面形态结构良好，膜表面均匀、平整。电化学测试表明两种聚硅氧烷的LOMO均位于萘酰亚胺并咪唑上，并且出现了两次氧化现象，HUMO位于苯基咔唑和三联噻吩上。分子模拟结果与电化学测试结果一致。半导体参数仪测试表明ITO/PNDISi-alt-CzSi/Au和ITO/PNDISi-alt-T3Si/Au两种器件均可以发生两次开启，具有三元存储能力。器件在长时间工作下性能稳定。施加电压后的响应时间很短，具有较快的信息写入速度。