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带隙基准源是模拟电路中一个重要的模块，广泛应用于模数转换器（ADC）、数模转换器（DAC）、低压差线性稳压器（LDO）等模拟和数模混合集成电路中，其性能好坏直接影响着整个电路系统性能的优劣。近年来，随着集成电路的特征尺寸不断减小，电源电压不断下降，对基准源的要求不断提高，因此对CMOS工艺的带隙基准源进行研究具有重要的现实意义和实用价值。本文基于TSMC40G CMOS工艺设计了一个电流求和结构的带隙基准电压源，并利用spectre仿真工具对电路进行仿真和验证。由于采用电流模求和结构，输出电压任意可调，不受1.25V限制。本论文首先设计了一个单级折叠共源共栅运算放大器，并对带隙基准源进行了一阶温度补偿。在-40°C-125°C温度范围内，基准输出电压的温度系数约为14ppm/°C，低频下电源电压抑制比（PSRR）为-61dB。由于采用单级折叠共源共栅运算放大器的带隙基准源PSRR特性不是很好，又设计了采用两级折叠共源共栅运算放大器的带隙基准源，PSRR得到提高，低频下为-81dB。在此基础上，采用VBE线性化技术对带隙基准源进行高阶温度补偿，得到较好的温度系数，在-40°C-125°C温度范围内为2.6ppm/°C。又通过引入减法器，使带隙基准的PSRR进一步优化，低频下为-101dB。对在版图设计过程中的各种影响进行分析之后，设计了带隙基准源的版图，并通过DRC、LVS验证，然后进行了后仿真。为了降低运算放大器的输入失调，提高带隙基准源的精度，设计了采用斩波稳定技术的带隙基准电路，仿真结果表明，采用斩波稳定技术后带隙基准输出电压的精度提高了76倍。