宽带低噪声放大器(LNA)是通信、雷达、电子对抗及遥测遥控等接收系统的关键部件,而噪声系数又是低噪声放大器关键指标,更低噪声系数的放大器能提高系统的灵敏度。本文研制的L波段宽带低噪声放大器是开发市场预研项目,具有较低的噪声系数,工作频率在500MHz～2000MHz,覆盖了大部分通讯频段和军民两用特种无线电频段,具有良好的应用市场前景。本文的主要工作和创新如下:1.调研市场上同类L波段宽带低噪声放大器产品,并以此调研结果为依据,规划出本课题所研制宽带低噪放具有的竞争性指标要求。2.在工程上对常见的厂家提供的电阻、电容、电感等元器件在微波频段的基本模型和高频特性进行了分析。3.进行L波段低噪声放大器的方案选择、晶体管的选择、匹配及偏置电路的设计、稳定性设计、印制板版图设计和腔体设计等。其中在印制板版图设计中,为获得更准确的仿真结果,采用了联合电磁场和电路混合仿真方法。4.在本课题研制的L波段宽带低噪声放大器中,采用了场效应管(FET)串联负反馈技术和普通PCB工艺技术及普通装配技术,电路以集中参数元件为主,选用常见的带封装的晶体管,相对于竞争对手采用裸芯片和陶瓷基片技术和微组装工艺实现的同类产品,具有成本低、噪声系数低、调试量少、装配容易等特点。5.在调试时对放大器的自激现象进行分析、消除和改进,且使用“开路电感”作为空间螺旋线改善放大器增益平坦度,并在工程上分析、仿真、验证“开路电感”对放大器增益平坦度的改善方法的可行性。6.在改进低噪声放大器电路时,一次性设计了三个版本同时加工装配,根据最后调试情况选择调试量最少,指标最好的版本作为最终版本,从而节约了研发时间和研制周期,同时也降低了研发成本。本课题研制低噪声放大器工作于5V直流电压,电流小于160mA,实测最大噪声系数小于0.8dB,带内平坦度小于±1.4dB,输入输出驻波小于2.0,达到了国际同类产品的水平,领先于国内同类产品水平,达到了该项目的研制任务要求。