基于过渡金属硫族化合物(TMDs)II型异质结在光伏及光电探测领域受到广泛关注与研究。本文中,我们研制了 一种基于少层ReS2/单层MoS2-I型异质结的高性能薄膜晶体管和光电探测器。归功于I型异质结的本征特性、少层ReS2的独特性质以及范德瓦尔斯层间耦合作用,所制备的光电探测器表现出极低的漏电流(10-14A)和等效噪声比率(6×10-23WHz-1/2),这在同类的光电探测器件中都均为记录,非常适合极弱光信号的探测。通过理论计算,当ReS2薄膜从单层增加到特定少层,平面内各向异性的ReS2和各向同性的MoS2之间巨大的晶格错配导致异质结的能带结构发生巨大变化,具体表现为半导体异质结从间接带隙转变为直接带隙。实验结果还表明,探测器光电流随ReS2薄层厚度的改变而变化,利用5-6层ReS2和单层MoS2形成的异质结制备的光电探测器具有最优的综合性能。实验得到的结果表明了基于少层ReS2/单层MoS2的I型异质结同样可以被用于光电探测领域,尤其是在极低噪声的光电倍增管和光电探测器领域有良好的应用前景。