【摘 要】
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当面对更大尺寸的硅片和更小的特征尺寸器件时,硅片上温度的微小变化,所造成的温度不均匀度,就会导致产品合格率的降低,论文提出快速热退火温度均匀性的解决方案。在阐述原理
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当面对更大尺寸的硅片和更小的特征尺寸器件时,硅片上温度的微小变化,所造成的温度不均匀度,就会导致产品合格率的降低,论文提出快速热退火温度均匀性的解决方案。在阐述原理的基础上,通过ASMC制造工艺流程中应用的实例,选取不同剂量,不同能量,不同杂质离子作为工艺条件,在纯氮气的工艺气氛中进行不同温度的热退火,以寻找适合RTP(快速热退火)设备日常监控温度变化最敏感的工艺条件。生产实际中发现LPNP(横向PNP管)集电极和发射极的短路,我们分析SEM(产品截面)照片,通过模拟实验,找出LPNP集电极和发射极短路的原因,通过快速热退火工艺,治愈了损伤,提高了成品率。本论文的研究课题来源于企业的大规模生产实践,对于同类的快速热退火设备的日常监控具有参考意义。
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