在追踪导电陶瓷材料发展的基础上,本文选择导电性能较好的BaPbO₃材料作为主要研究对象,致力于贱金属化合物替代贵金属及其氧化物作为厚膜电阻功能相的研究。本文提出利用Bi₂O₃与BaPbO₃在高温固相反应原理制备BaPb_1-xBi_xO₃厚膜电阻,并用实验验证了这种方法的可行性。本文用DSC-TG、X-ray衍射、高倍金相显微镜观察等手段对BaCO₃-Pb₃O₄系粉末、BaPbO₃-Bi₂O₃系粉末、BaPbO₃-Bi₂O₃-Ag系粉末反应过程、厚膜电阻烧成样品的微观组织、电学性能等进行全方面测试分析,对其反应机理、烧结机理、导电机理进行系统探讨分析。研究了机械合金化-固相反应合成法制备BaPbO₃材料。实验发现:延长球磨时间,有利于提高BaPbO₃在相对较低焙烧温度下合成的速率;在BaPbO₃中铅钡摩尔配比基础上,将BaCO₃-Pb₃O₄系混合粉末Pb₃O₄适当过量有利于提高BaPbO₃的合成产率;BaCO₃-Pb₃O₄系混合粉末升温过程中,首先Pb₃O₄分解生成PbO,最终由PbO与BaCO₃反应生成BaPbO₃;BaCO₃-Pb₃O₄系混合粉末球磨12小时,750℃焙烧6小时,可以获得反应较为完全的BaPbO₃。研究了BaPbO₃-Bi₂O₃系粉末、BaPbO₃-Bi₂O₃-Ag系粉末反应过程。实验发现:700℃⁸00℃范围,BaPbO₃-Bi₂O₃系粉末和BaPbO₃-Bi₂O₃-Ag系粉末烧结产物组分相对稳定;Ag在高温能够稳定BaPb_1-xBi_xO₃材料,遏止BaPb_1-xBi_xO₃分解。研究了数值x对BaPb_1-xBi_xO₃性能的影响。实验发现:随着x的增加,BaPb_1-xBi_xO₃的电阻率增加,TCR向负值方向移动;当x=0.5时,BaPb_1-xBi_xO₃的烧结活化能为最低。对影响BaPb_1-xBi_xO₃厚膜电阻性能的因素进行了研究。研究发现:随着BaPb_1-xBi_xO₃厚膜电阻中Bi₂O₃含量的增加,方阻值增大;其中,Bi₂O₃含量在11%²7%范围时,方阻值平缓增加,当Bi₂O₃含量超过35%时,方阻值上升明显;随着Bi₂O₃含量增加,其厚膜电阻的TCR平缓向负值移动;随着BaPb_1-xBi_xO₃厚膜电阻烧成膜厚增加,其方阻值减小,TCR值负值增大。随着BaPb_1-xBi_xO₃厚膜电阻的掺银含量的增加,方阻值呈近线性降低、TCR呈近线性增加。建立了BaPb_1-xBi_xO₃厚膜电阻导电模型。本文认为:BaPb_1-xBi_xO₃厚膜电阻是一种掺有铅、铋氧化物的导电陶瓷烧结体,影响厚膜电阻导电性能的主要因素是导电颗粒自身电阻与颗粒间接触电阻;厚膜电阻掺银后的导电微观结构是由许多微小串联或并联的Ag颗粒组成的导电链构成的结构复杂的多维导电网络,此导电网络被“淹没”在BaPb_1-xBi_xO₃导电烧结体中。