纳米材料的特性可以对微电子、计算机、航空航天、能源、环境、生物工程等各行各业产生重大影响。离子束辐照半导体,使得其表面产生形貌规律、尺度可控、排布有序的自组装纳米结构,对电子学、通信、计算机领域都可能产生革命性影响。对荷能粒子在特定材料上的能损进行研究,不仅有利于完善能损理论,而且对材料成分分析、材料表面改性和半导体器件等领域都有重要意义。因此,在硕士研究生期间,本人进行了keV Ar⁺辐照Si（111）诱发纳米结构与铜基石墨烯散射能损两部分工作:1)本文研究了使用keV能量、束流密度为1.3μA/cm²的Ar⁺以20°的入射角辐照Si（111）单晶表面,通过原子力显微镜（AFM）观测表面纳米形貌随着沉积剂量变化而变化的演化过程。当Ar⁺沉积剂量在5×10¹⁶/cm²时,表面出现形状、方向均有序的纳米点结构。随着沉积剂量的进一步增加,表面迅速趋于平坦不再出现纳米结构。出现这一现象的原因可能是在沉积剂量较小时,表面形貌符合Bradley-Harper模型的演化规律,纳米点形貌随着沉积剂量的增加而不断显著。当辐照剂量进一步增加后,由于束流密度较小,无法使表面达到Si（111）重结晶的温度,进而无法形成规律的纳米形貌。2)本文研究了keV能量的Ar⁺在铜基石墨烯表面散射。氩离子穿过双层石墨烯膜,与铜发生散射,再次穿过石墨烯被探测器记录。我们通过飞行时间的方法测量粒子在石墨烯上的能量损失与粒子入射速度之间的关系。结果显示,Ar在石墨烯上的能损随入射速度基本呈现线性关系。推算出的阻止本领在数值与趋势上与SRIM软件计算得到的电子阻止本领类似,但是与计算得到的核阻止本领存在较大差异。这一结果可能表明,Ar在穿透石墨烯的过程中,主要是与石墨烯表面的电子相互作用,而与碳原子核的作用较少。进一步的分析还在进行中。