WS2是二维过渡金属二硫属化物的一种。单层WS2具备较宽的直接带隙,并且随着层数增加其禁带宽度和能带结构也会发生相应的变化。范德华力连接的层状结构还使其表面几乎不存在悬挂键,这使得该材料在电学领域和光电领域备受关注。自WS2被发现以来,科研人员已经针对该材料在电子器件和光电子器件领域进行了大量研究。研究结果表明WS2材料在这些领域具备很好的发展潜力。目前,缺乏大规模可控的制备方法是阻碍WS2在各个领域广泛应用的主要障碍。针对这一问题,科研人员提出了多种制备WS2材料的方法。其中化学气相沉积法是最具发展潜力的方法之一,但是目前通过该方法制备的WS2薄膜还普遍存在薄膜尺寸较小、成核密度较高等问题。本文首先以制备在SiO2/Si衬底上的氧化钨薄膜为金属前驱体,利用高温下硫蒸汽与其发生的硫化反应,直接在衬底上实现了单层WS2薄膜的生长。接着本文对该实验方案的关键实验条件进行了优化,提出了基于氧化钨粉末的实验方案,通过优化后的实验方案最终在SiO2/Si衬底上制备了最大尺寸可达490μm的单层WS2薄膜。在实验的过程中我们还对氧等离子体处理功率、生长温度以及生长时间等实验条件进行了对比分析。分析结果表明合适的生长条件是实现大面积WS2薄膜生长的关键。除了常见的SiO2/Si衬底,我们还在铌酸锂衬底上实现了最大尺寸约为50μm的WS2薄膜的化学气相沉积生长,这促进了WS2等TMDs材料在基于铌酸锂等铁电材料的声光器件领域上的应用。利用基于PMMA的衬底刻蚀辅助转移法和基于PVA的半干法转移法对CVD生长的单层WS2薄膜进行了转移,最终制备了基于单层WS2薄膜的n型场效应晶体管。该转移方法采用不同材料作为转移工艺不同阶段的支撑层,在很大程度上保证了薄膜的完整性,为器件的良品率做出了保证。通过电学测试我们得出该晶体管的载流子迁移率约为1.53 cm~2/Vs,开关电流比约为10~4,亚阈值摆幅约为1.22 V/dec,初步展示了WS2薄膜在电子器件领域中的应用。