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近红外有机发光二极管器件（NIR-OLED）因其自发光、高效率、柔性显示和制备工艺简单等优点及在国防、光通讯及光导纤维等领域的潜在重要价值引起了广泛的关注。本文基于低成本及大面积柔性显示的近红外聚合物发光器件（NIR-PLED）开发,拟通过两种方式制备器件的发光层:其一,将近红外发光的铱配合物为客体材料,物理掺杂至主体聚合物材料（如聚乙烯咔唑）而制备掺杂型发光层;其二,将客体材料铱配合物通过Suzuki耦合反应共价键合于聚芴（PF）而得到键合型复合材料。同时,依托掺杂型和键合型复合材料的良好近红外发光性能及物理性能（如好机械加工性、高热稳定性及易湿法成膜等）,期望开发出有优良电致近红外发光性能的NIR-PLED。1、基于铱配合物的优良光致近红外发光性能考虑:利用苯并噻吩类主配体Hiqbt（Hiqbt=1-（benzo[b]thiophen-2-yl）isoquinoline）和溴代-席呋碱类辅助配体HL（HL=（E）-4-bromo-2-（（phenylimino）methyl）phenol）在一定条件下与IrCl3·3H2O反应,合成得到了新型铱配合物[Ir（iqbt）2（L）];除通过元素分析（EA）、傅里叶变换-红外吸收光谱（FT-IR）、核磁共振氢谱（1H NMR）及单晶X-射线衍射（XRD）等对其结构表征外,还分别就其光物理性质与电化学性质进行了测试研究。2、通过近红外发光溴代-铱配合物[Ir（iqbt）2（L）]的Suzuki耦合反应,得到铱配合物共价键合于聚芴（PF）的键合型复合材料Poly（PF-[Ir（iqbt）2（L）]）;同时,通过热重分析（TG）测试其热稳定性,并利用固体荧光光谱（PL）和固体紫外可见吸收光谱（DR）对其光物理性质进行了测试研究。3、基于上述合成的近红外发光溴代-铱配合物[Ir（iqbt）2（L）]物理掺杂于聚合物聚乙烯咔唑（PVK）而尝试NIR-PLED器件创制:优化前的单层NIR-PLED-I器件结构为ITO/PEDOT:PSS（4 nm）/PVK（65%）:OXD-7（30%）:[Ir（iqbt）2（L）]-（5%）（120 nm）/LiF（1nm）/Al（100 nm）,电致发光性能表现为EL发射峰波长为707 nm,启动电压12 V,最大外量子效率为1.065%,器件最大亮度为2.83 cd·m-2。为了优化单层器件结构,加入了电子传输层1,3,5-三[（3-吡啶基）-3-苯基]（TmPyPB）以提高电子迁移率的单层优化器件NIR-PLED-II结构为ITO/PEDOT:PSS（40 nm）/PVK（65%）:OXD-7（30%）:[Ir（iqbt）2（L）]-（5%）（120 nm）/TmPyPB（15 nm）/LiF（1 nm）/Al（100 nm）;其器件性能为:EL发射峰波长为709 nm,启动电压是14 V,最大外量子效率为1.391%,器件的最大亮度为1.70 cd·m-2（驱动电压为21 V）。4、基于上述中铱配合物共价键合于聚芴（PF）的键合型复合材料Poly（PF-[Ir（iqbt）2（L）]）为发光层制备NIR-PLED器件,其器件结构为ITO/PEDOT:PSS（40nm）/Poly（PF-[Ir（iqbt）2（L）]）（80 nm）/TPBi（40 nm）/LiF/Al;电致发光性能表明:高驱动电压条件下,主要发光位置逐渐向近红外区域（708 nm）转移,可实现近红外区域的EL发射峰强度不断增大,当驱动电压为8 V时,最大外量子效率达到0.06%。