有机/无机杂化钙钛矿结构CH₃NH₃PbX₃（X=Cl,Br,I）晶体具有高吸收系数、长载流子寿命和高载流子迁移率等特性,使其在光电领域拥有巨大的应用潜力。在光伏领域,其薄膜材料在实验室中已经取得了可与单晶硅太阳能电池相媲美的高转换效率,在探测器和激光器等领域,其体块材料也被广泛应用。作为一种新兴的材料,其光电特性以及半导体特性都有待进一步研究。因此,制备出高品质的单晶是深入研究该材料性质的重要途径。本文采用溶液法生长CH₃NH₃PbX₃单晶,首次采用连续供料的方式实现了晶体的连续生长。所搭建实验平台的晶体生长室内为稳态温场,容易获得晶体生长的最佳工艺参数。在晶体生长过程中籽晶位置不移动,这种原位生长的方法有效地避免了污染源的引入。采用搭建的实验装置,成功获得了厘米级的CH₃NH₃PbX₃单晶。在晶体生长的实验基础上,对晶体生长容器内的温场结构进行了数值模拟,发现该实验装置加热方式、籽晶悬线直径和供料口位置等因素对生长室内温场结构具有一定的影响。根据模拟结果对实验装置进行了相应的改进,取得了良好的实验效果。在改进的实验平台上进行单晶生长实验,分析了不同溶剂、籽晶种类、溶液过饱和度等因素对单晶生长质量的影响,获得了制备CH₃NH₃PbX₃单晶的最佳工艺参数。对所生长的CH₃NH₃PbX₃单晶物理性能进行测试,所生长单晶结构完整,各项指标与已报道的相当。其中,载流子浓度和迁移率等指标表明了其具有作为半导体材料应用的潜质。