本文以溶胶-凝胶工艺并利用快速退火的方法在铂金衬底上制备了包括(Pb_0.5Sr_0.5)TiO₃（PST50）和(Pb_0.25Sr_0.75)TiO₃（PST25）两种组分掺锶的钛酸铅薄膜。同时表征和研究了它们的相结构、表面形貌、介电和铁电特性。所有测试均在室温下进行。我们首先在Pt/Ti/SiO₂/Si和LaNiO₃/Pt/Ti/SiO₂/Si两种衬底上制备了PST50薄膜,并在室温下研究了这两种薄膜的结构和电性能。XRD表明,两种薄膜均呈钙钛矿结构,其中Pt/Ti/SiO₂/Si上的薄膜为多晶,而LaNiO₃/Pt/Ti/SiO₂/Si上的薄膜呈（100）方向择优取向生长。和随机取向的薄膜相比较,择优取向的薄膜表现出较高的介电常数和介电损耗:在100kHz时介电常数为850而介电损耗为0.032。同时,还用压电响应力显微镜表征了薄膜的畴结构。同时我们还直接在Pt/Ti/SiO₂/Si衬底制备了PST25薄膜,通过X射线衍射分析发现,薄膜具有纯的钙钛矿多晶结构。在100kHz频率下测得的介电常数和介电损耗分别为350和0.01。在150 kV/cm范围的直流电场作用范围内,测得其介电调谐系数为22.7%。通过介电温度藉发现PST25薄膜的居里点在-107℃附近,相比于相同组分的陶瓷块材（-25℃）,薄膜的居里点向负方向发生了80℃的移动。在作用电压±4V范围内,漏电流密度约为10^-7A/cm²。本文通过实验研究发现掺锶的钛酸铅薄膜有很好的介电性能,缓冲层LaNiO₃的引入改善了薄膜和下电极的匹配,从而提高薄膜的介电常数和铁电性能。高介电常数、低损耗的实验结果表明,掺锶的钛酸铅薄膜有非常好的应用前景,是一种可以应用到动态随机存储器与微波调谐器件的介电材料。