铋硅族氧化物晶体是广为利用的光折变材料，其响应时间很短，这种在可见光和红外区具有高光折变灵敏度和快响应速度的性质使得其在光学干涉仪、光存储和光学信息处理等方面应用广泛。在计算其二波耦合增益时，受矢量波耦合、旋光效应、弹光效应和压电效应的影响，无法对微分方程组求得精确的分析解表达式。在以往的一些研究中，往往不考虑矢量波耦合或旋光效应、弹光效应对二波耦合增益的影响，从而得到近似的分析解，其在不同的光学配置下所求出的能量增益值与实验数据之间有一定的差异。 本文在漂移机制下，考虑了铋硅族氧化物中二波耦合过程的矢量波耦合、电光效应、旋光效应、弹光效应、压电效应，并使用张量运算的方法得到了较高精度的近似解，求解出了信号光增益与晶体厚度、光栅取向、初始入射光偏振方向及外加电场强度之间的关系。 本文还求解了二波耦合方程组的数值解，利用它可以求出任意光学配置下的信号光增益，用于对分析法的精确性进行验证。最后分别在BTO和BSO晶体的几种不同光学配置下对分析法与数值法中影响信号光增益的量进行了对比，并得到了分析解的适用范围，为设计光折变光栅提供了依据。