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本文采用脉冲激光沉积法，在Pt/Ti/SiO2/Si衬底上制备了Pb0.5Sr0.5TiO3(PST)单层膜，并以之为研究对象，对其与Ba0.5Sr0.5TiO3(BST)、Pb0.5Ba0.5TiO3(PBT)在铁电、介电、漏电等性质方面进行了比较。发现PST在室温下有更高的介电常数，更小的漏电流和更大的电容—电压调谐度。文章同时对(PST)/Pb0.8La0.2TiO3(PLT)多层膜的介电性能也进行了研究，与PST和PLT单层膜相比较，发现PST/PLT多层膜的介电常数明显提高，并且伴随着色散的增大。通过对多层膜垂直于表面成分的分析，认为薄膜界面间的原子扩散引起组分的波动以及界面间铅挥发造成了多层膜的介电色散的增大，并导致介电增强。