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过去的几十年中,紫外探测技术作为继红外探测技术及激光探测技术后的又一项军民两用光电探测技术受到了广大的关注。相比于硅基紫外探测器,宽带隙半导体材料制备的紫外探测器凭借着其可见光不吸收、稳定性强等优点日益成为研究的重点。ZnO作为一种典型的宽禁带半导体,其制备的紫外探测器由于有着成本低廉、制备简单、性能优异等特点得到了越来越广泛的研究。但是由于制备p型ZnO材料存在着技术壁垒,同质结结构的ZnO紫外探测器始终难以得到长远的发展,因此人们把目光投向了 ZnO异质结结构的紫外探测器方面。相较于其他宽禁带的半导体材料如SiC、GaN等,NiO材料有着来源广泛、对环境友好、性质稳定等物理特点,又有着禁带宽度宽、激子束缚能高、能够阻挡电子及传递空穴等电学特性逐渐受到了人们的重视。所以,针对ZnO/NiO异质结紫外探测器的研究有着实际的意义。本文利用溶液燃烧法来制备NiO材料,脉冲激光沉积设备制备ZnO薄膜,重复性较高的水热法制备ZnO纳米线,将ZnO、NiO两者结合起来,制备了结构简单、重复性良好的ZnO/NiO异质结结构的紫外探测器。本文主要研究了纳米线结构、薄膜结构两种不同形貌的ZnO/NiO异质结结构的紫外探测器。一:采用溶液旋涂法、脉冲激光沉积(PLD)制备的ZnO籽晶层,水热法生长ZnO纳米线,发现PLD制备ZnO籽晶水热生长的ZnO纳米线分布更均匀、纳米线生长更垂直;研究了提拉法速率对NiO前驱液附着纳米线效果的影响,发现在10 μm/s时退火后NiO能完整地附着在纳米线上,并且纳米线仍保持垂直的形貌,在此基础上制备了 ZnO/NiO纳米线异质结结构的紫外探测器,探测器性能良好,光电流测试表明其对365 nm紫外光的探测灵敏度在0.9V时达到13.3。二:通过PLD、溶液燃烧法分别制备了 ZnO:Al薄膜及NiO薄膜,将两者结合制备了 NiO/ZnO:AL薄膜类型的紫外探测器。此薄膜紫外探测器探测灵敏度为4,我们对于性能不如纳米线结构紫外探测器的原因进行了研究,其可能原因是PLD法制备的薄膜晶体质量不如纳米线高,缺陷较多,造成光生载流子的俘获和复合。