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SiCMOSFET的导通电阻低、开关损耗小,使得SiCMOSFET逆变器的逆变效率更高、体积更小。本文基于三电平并网逆变器完成了 SiCMOSFET的应用研究。首先,论文分析了 SiCMOSFET对驱动的基本要求,利用ROHM公司的SiCMOSFET网表模型确定了驱动电路相关参数。在此基础上设计了采用光耦隔离的SiC MOSFET驱动板并分析其工作原理。利用设计完成的驱动板,测试了两种不同型号SiC MOSFET的开关特性及热损耗特性,通过对比分析完成了三电平并网逆变器的主电路的器件选型,选择了 型