在一维光子晶体中填充液晶，由于液晶具有双折射特性，又因为液晶的双折射率对电场和温度变化比较敏感，所以可以通过外加电场和温度来调控液晶的有效折射率，从而达到对光子晶体缺陷模的调控。相比其他光电材料而言光子晶体在调谐范围具有明显的优势。首先当电场强度大于阈值时，液晶可以看成是单轴介质，其折射率可以通过电场方向来调控。在光子晶体中引入缺陷层液晶，利用传输矩阵法研究了含有一层填充不同液晶（分别为E7、5CB或BL-009）缺陷的一维光子晶体缺陷模的电场调控特性。结果表明：对应于E7、5CB或BL-009不同液晶缺陷，缺陷模波长可调量分别为43nm、34.5nm和37.1nm，电场对E7这种液晶相对于其他两种液晶可调量更大。随着垂直入射光与电场方向间夹角θ在（00，900）内增大，缺陷模波长向着短波方向漂移。这是由于有效折射率的变化及变化范围所引起的。其次利用传输矩阵法研究了含液晶一维光子晶体的缺陷模。数值计算了ZnO层厚度或液晶层厚度为固定值，垂直入射光与电场方向间夹角θ为00、300、600和900时，含液晶一维光子晶体缺陷模的波长随液晶层厚度（或ZnO层厚度）的变化关系。结果表明：当ZnO层厚度为90.8nm定值时，波长为850nm光通信窗口对应的液晶层厚度范围为139～158nm；当液晶层厚度为141.7nm定值时，波长为850nm光通信窗口对应的ZnO层厚度范围为88.7～102.3nm。要得到缺陷模波长为850nm，垂直入射光与电场方向间夹角θ越小，ZnO或液晶层厚度就越小。最后利用传输矩阵法研究了带有缺陷层的填充液晶的一维光子晶体的缺陷模。当电场强度大于阈值时，液晶可以看成是单轴介质，其折射率可以通过电场方向来调控。同时液晶折射率又是温度的函数，其折射率又可以通过改变外界环境温度来控制。数值模拟了含缺陷层液晶的光子晶体的缺陷模随不同电场方向和温度下变化规律，分析了电场和温度对含缺陷层液晶的光子晶体的缺陷模调控特性。得出了相对于温度调控，电场可调范围较大。还分析了某一电场入射角和温度下的光的共振峰的场强分布，得出在中间二层的光场强度最大。