红外探测器自问世以来一直是军事领域的焦点,二十世纪九十年代非制冷红外焦平面探测器的出现更是引起军事装备的进一步升级,在单兵作战方面尤为突出。随着应用的普及,以非制冷红外焦平面探测器为核心的红外成像设备在公共安全、工业、医学等领域的作用也越来越突出,其市场的不断扩大引起越来越多的关注。本文的工作内容是制备出性能优良的亚稳相二氧化钒（VO₂（B））材料,以应用于非制冷红外焦平面探测器的像元热敏电阻材料。工业生产中VO_x的成分较为复杂不易控制,而成熟工艺下VO₂（B）材料的成分单一,组分确定。VO₂（B）材料的电阻温度系数（TCR）较大、方阻值适中,且在工作温度范围内没有类似VO₂（M）/VO₂（R）的相变,1/f噪声系数良好,很适合作为像元部分的热敏材料。本论文的主要工作内容如下:（1）在沉积氮化硅的硅片表面使用磁控溅射法原位沉积VO₂（B）薄膜,沉积的薄膜无需进行退火步骤。（2）使用XRD、SEM、Raman光谱仪测试VO₂（B）薄膜的表面形貌以及组分情况,四探针测试仪测试VO₂（B）薄膜的电阻值以此计算电阻温度系数（TCR）。结果表明制备的VO₂（B）薄膜成分较为单一、结晶度高、表面较为平整,有着合适的电阻值和较高的TCR。（3）用紫外光刻和电子束蒸发在VO₂（B）表面沉积了两种不同材料的金属电极（Ni/Au和Ti/Au）,采用金属剥离工艺（lift-off）得到了设计的金属图形,用双列直插式陶瓷管壳将其封装为了用于低频噪声测试薄膜电阻器件。（4）设计了VO₂（B）薄膜电阻的低频噪声测试电路,对薄膜电阻的低频噪声特性进行测试,分析了两种电极材料的薄膜电阻低频噪声的状况。