【摘 要】
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使用硅漂移探测器测量低能端X射线能谱时,首先要对探测器进行效率刻度。本文分别采用相对效率刻度法和理论模型计算法对SDD探测器低能区进行效率刻度。相对效率刻度法为,通过
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使用硅漂移探测器测量低能端X射线能谱时,首先要对探测器进行效率刻度。本文分别采用相对效率刻度法和理论模型计算法对SDD探测器低能区进行效率刻度。相对效率刻度法为,通过测量19keV电子束轰击纯厚碳靶得到实验韧致辐射谱,以及Monte Carlo程序PENELOPE模拟同样实验条件下得到理论韧致辐射谱,二者的比值即获得相对效率曲线,最后由241Am和57Co标准源将相对效率曲线绝对化,在此方法中,考虑了标准源的自吸收校正,理论韧致辐射谱的卷积以及实验韧致辐射谱的光滑。理论模型计算法是基于硅漂移探测器的几何尺寸,利用理论模型计算公式得到硅漂移探测器低能区的探测效率曲线。本文中两种方法确定的绝对探测效率曲线较为一致。
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