CIGS(CuIn_1-xGa_xSe₂)薄膜太阳电池因其较高的转换效率和相对较低的制造成本,越来越受到人们的关注。为了与p型的CIGS吸收层形成p-n结从而分离光生载流子,需要在其表面制备一层n型半导体薄膜。由于化学水浴沉积法（CBD,Chemial Bath Deposition）可以在温度较低的环境下在大面积的衬底上制备性能优良的半导体薄膜,且制造成本较低,因此目前大多数CIGS薄膜太阳电池研究实验室和组件厂商都采用CBD-CdS薄膜与CIGS吸收层形成异质p-n结以制备高性能的CIGS薄膜太阳电池。本文使用CdI₂、CS（NH₂）₂和NH4OH的混合溶液,分别在玻璃和CIGS衬底上制备CdS薄膜。通过改变以上三种化学药品的加入量,以改变反应溶液中各离子的浓度。对所制备的CdS薄膜的表面形貌、晶体性质和光学性质进行测量,从而对薄膜生长的影响因素进行分析。在空气中对CdS薄膜进行不同温度下的退火,对退火前后的薄膜性质进行对比,以分析退火温度对薄膜性质的影响。实验结果表明,工艺条件的改变不仅会影响CdS薄膜的生长速率,对薄膜的性质也会产生不同程度的影响。由于本文主要对用于CIGS薄膜太阳电池中的CdS薄膜缓冲层的制备进行研究,因此本文创造性地根据CIGS薄膜太阳电池的转换效率对CdS薄膜的制备工艺进行优化,最后制备出最高转换效率超过14.8%的CIGS薄膜太阳电池（有效面积为0.36cm²）。CBD-CdS薄膜的制备过程中会产生大量的废液,如果处理不当,会给环境带来极大的危害。本文首创性地对废液的回收利用进行了比较系统的研究。使用废液作为溶剂,加入不同量的NH₄OH溶液,分别在玻璃和CIGS衬底上制备CdS薄膜。实验结果显示,在经过沉淀之后的废液中加入适量的CdI₂、CS（NH₂）₂和NH₄OH的混合溶液,制备出的CIGS薄膜太阳电池的性能与使用高纯水为溶剂所制备的CIGS薄膜太阳电池没有差别。