不同发光波长的GaAs基In(Ga)As量子点的材料生长和性质研究

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In(Ga)As/GaAs量子点材料体系因具有非常诱人的发光器件应用前景,而受到人们的广泛关注。特别是如何通过控制量子点的尺寸、形状、密度,来改善量子点的发光质量以及控制发光峰位等,一直是国际上的前沿研究课题之一。本论文对不同波长In(Ga)As/GaAs量子点的MBE材料生长和光学特性进行了研究,尝试了若干种调制量子点发光波长的方法,获得的主要结果如下:   1.1060nm波长InGaAs自组织量子点的材料生长研究   (1)研究了InAs/GaAs交替循环式生长的InGaAs量子点的形貌和光学特性,研究表明:改变InAs/GaAs循环周期中InAs的沉积量可以有效地调节量子点的发光波长;同时,采用[(InAs)m/GaAs)0.5,(m<0.5)]的循环方式较[(InAs)n/GaAs)1,(0.8
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