单片微波集成电路MMIC具有体积小、功耗低、成本低、可靠性高、抗干扰能力强等优点，已经被广泛应用于军用电子和民用电子工业中。衰减器是功率增益控制元件，用于电平调整的电路，比如放大器，信号接收器，信号发送器等，都需要对信号或者功率进行衰减调节。我国MMIC技术相对于国外来说发展比较缓慢，加上国外对先进技术的封锁，目前使用在射频/微波电路中的MMIC衰减器芯片都是从国外进口的，价格昂贵，购货周期长，严重阻碍了我国航天航空事业以及高科技武器的发展。因此，将单片微波技术与衰减器相结合，自主研制高性能、小面积、高带宽、稳定性好的MMIC衰减器就成为了一项非常有价值和必要性的科研活动。衰减器主要电路结构是由电阻组成，是一种吸收型衰减器。基本电路有三种：T型、π型和桥T型。当衰减量一定的时候，T型结构中的电阻阻值相对于π型结构来说要小很多，反映到设计中，反而需要占用较大的面积来实现相应的小阻值，这样不能满足设计要求的尺寸；对于用于金丝键合装配的衰减器来说，增大了寄生效应，使得端口驻波恶化。π型结构中的电阻相对较大，缓解了设计尺寸与工艺尺寸的矛盾。本设计选择π型电路作为主要结构来设计衰减器，并把T型结构作为比较对象来进行仿真实验。衰减器主要器件是电阻，衰减器的设计主要包括了电阻材料和工艺的选择，权衡各电阻材料的优缺点，本设计选择能适应各种恶劣环境，并且有良好的TCR特性的氮化钽作为电阻材料；综合性能、价格等多种因素，选择了氧化铝基片和砷化镓基片作为芯片衬底材料。工艺的选择包括合理的工艺过程和工艺监控方式。由于时间和条件限制，并未加工成品，但对工艺加工基本流程和主要的步骤进行了一定的研究和介绍。HFSS作为设计行业内被广泛使用的电磁仿真软件，被默认为是三维电磁场分析兼设计的工业标准，非常适合微波无源器件的仿真工作。利用HFSS软件，针对π型和T型两种拓扑结构，分别采用薄膜工艺和GaAs工艺，对两种不同的装配方式：表贴装配和金丝键合，进行仿真、研究。经过不断的改进、调试，最终得到几款MMIC固定衰减器，仿真结果都达到设计目标的要求。本设计频带宽，体积小，精度高，作为自主研发MMIC衰减器芯片，可广泛应用于射频/微波电路中。