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铁电薄膜是集铁电、压电、热释电、电光及非线性光学于一体的多功能材料.采用MOD法在Si（100）衬底上直接沉积了BLT）（0.75）薄膜.在BLT（0.75）和Si衬底之间加入Bi<,2>Ti<,2>O<,7>层,制备出金属/铁电薄膜/缓冲层/半导体/金属结构.La取代后可以优化Bi<,4>Ti<,3>O<,12>的性能因而可以改善器件的性能,从此意义上看,系统地研究La取代浓度对材料的影响是十分必要的.La浓度对BLT（x）的绝缘性也有影响,Ⅰ-Ⅴ特性曲线显示薄膜在低电压范围内导电遵守Ohmic规律,而在较高电压范围导电遵守空间电荷限制机理.为BLT（x）薄膜进行了光电子能谱分析.作者采用金属有机分解法制备钛酸铋纳米晶时发现,Bi<,20>TiO<,32>在Bi<,2>Ti<,2>O<,7>纳米晶的形成过程中是亚稳相,并且第一次观察到Bi<,20>TiO<,32>以纳米锥的形式存在.根据实验现象提出了纳米锥形成的可能机理.利用MOD法成功地制备了Bi<,2>Ti<,2>O<,7>纳米晶.采用MOD法制备了Bi<,3.25>La<,0.75>Ti<,3>O<,12>纳米晶.采用MOD法制备了不同La浓度的BLT（x）纳米晶,在BLT（x）纳米晶的形成过程中,Bi<,2>Ti<,2>O<,7>相和Bi<,20>TiO<,32>相作为亚稳相存在,纳米晶结构很复杂,La浓度可以影响晶相结构.用场发射扫描电镜研究了Bi<,4>Ti<,3>O<,12>纳米晶的形貌,并提出其可能的生长机理.