当今科学技术高速发展，世界范围内对半导体产品的需求持续上扬，半导体芯片生产商投入了大量资金以跟上半导体市场的发展步伐。半导体工业的进步以及对制造微型芯片最为关键的薄硅晶片的大量需求将引导半导体黄金时代的发展。这就要求对半导体晶体的完美性、机械特性和电学特性都提出了更为严格的要求，尤其是晶体微区的电学特性及其均匀性已经成为决定半导体器件性能优劣的关键因素。因此，对半导体晶体微区电阻率的测试技术的研究具有重要意义。这就要求促使新的半导体晶体电阻率检测与分析技术不断出现、不断完善的与提高，本文通过对半导体晶体电阻率测试技术的研究，对四探针测量理论进行了深入分析，包括各种四探针法测量公式的推倒和一些相关理论的总结并制定测试方案，本课题中四探针电阻率测试系统主要分为;机械部分、电路测试部分和计算机数据处理部分，本课题主要利用MSP430单片机在四探针机械测试平台的基础上采用斜置方形四探针测试技术对半导体硅片微区电阻率测量系统进行研究。　　 本课题的斜置方形四探针测试电路采用MSP430F169单片机作为微处理控制核心，电路测试部分主要由如下几个组成部分：1.恒流源电路；2.探针转换通道；3.电压采集放大电路；4.LCD显示电路；5.单片机和计算机通信电路；6.温度采集电路；各组成部分在单片机的统一控制下，共同完成测量过程。