半导体氧化物的掺杂及其抗菌性能研究

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本文在全面综述无机抗菌材料国内外研究现状的基础上,采用固溶掺杂技术制备了掺钒、锰和锌等元素的纳米二氧化钛(TiO2)和掺银的四针状氧化锌晶须(T-ZnO),采用X-射线衍射、透射电子显微镜、隧道扫描显微镜、紫外—可见光谱等分析和研究手段对掺杂样品的结构以及光学和抗菌性能进行了研究,得到如下主要结论: 采用固溶法分别制备了钒、锰、锌掺杂的纳米TiO2样品和银钒共掺的纳米TiO2样品,结果表明:掺杂浓度为1at.%时,钒、锰和锌能进入纳米二氧化钛的晶格;钒的掺杂导致纳米二氧化钛的紫外可见光谱在线形上发生了变化,拓展了纳米TiO2向可见光方向的响应范围。通过对掺杂样品在自然光条件下对金黄色葡萄球菌和大肠杆菌的最小抑菌浓度(MIC)值的测试,研究了掺杂对抗菌性能的影响,表明:掺钒可以使TiO2样品的抗菌活性得到提高,其对金黄色葡萄球菌的MIC值由2000mg/mL下降到200mg/mL,对大肠杆菌的MIC值由2000mg/mL下降到50mg/mL,而掺锰和掺锌样品的抗菌活性无明显改善;钒银共掺可大大提高纳米二氧化钛的抗菌性能,随着共掺样品中银含量的提高,其抗菌活性逐渐提高;1.5%银和0.5%钒共掺TiO2的MIC值最低,其对金黄色葡萄球菌和大肠杆菌的MIC值均为10mg/mL,1.0%银和1.0%钒共掺TiO2的MIC值次之,为25mg/mL,0.5%银和1.5%钒共掺TiO2的MIC值最高,为50mg/mL。 采用固溶掺杂工艺制备了银掺杂的T-ZnO样品,借助XRD和SEM等手段研究了掺杂工艺对其结构和物理性能的影响,结果表明:掺银浓度为1at.%时,银离子不能完全进入T-ZnO的晶格,一部分银以单质银第二相存在于样品中;煅烧温度越高,进入氧化锌晶格的银离子越多;掺银0.1at.%,
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