【摘 要】
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ZnO薄膜是一种很有发展前景的直接带隙半导体材料，室温下带隙宽度为3.37eV。其原材料丰富且无毒，较高的电导率和透过率能与ITO相媲美，所以在太阳能电池领域中，ZnO作为透明导电氧化物薄膜（TCO）倍受关注。在硅基薄膜太阳电池中，绒面ZnO前电极和背反射电极组成陷光结构，大大提高电池转换效率和稳定性，促进产业化发展进程。本论文采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术在玻璃衬底上制备ZnO:B（
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ZnO薄膜是一种很有发展前景的直接带隙半导体材料，室温下带隙宽度为3.37eV。其原材料丰富且无毒，较高的电导率和透过率能与ITO相媲美，所以在太阳能电池领域中，ZnO作为透明导电氧化物薄膜（TCO）倍受关注。在硅基薄膜太阳电池中，绒面ZnO前电极和背反射电极组成陷光结构，大大提高电池转换效率和稳定性，促进产业化发展进程。本论文采用金属有机化学气相淀积（MOCVD）技术在玻璃衬底上制备ZnO:B（BZO）薄膜，并将其应用于非晶硅太阳电池中，获得了很好效果。具体研究内容如下：以硼烷（B2H6）
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