基于CMOS工艺的太赫兹成像检波单元的研究

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频率在太赫兹频段内的电磁波(简称太赫兹波)在安保,医疗和通信等领域内有重要应用,因此研究在室温下工作的低成本便携式太赫兹探测器具有重要意义。本文研究设计了一种基于TSMC180nm CMOS工艺的太赫兹成像检波单元,它可以用于大规模成像阵列。检波单元包括片上太赫兹天线,基于MOS管的检波器和阻抗匹配网络结构。这种检波单元具有成本低,体积小,集成度高,一致性强,易于实现大规模阵列,可以同数字处理电路集成等多方面优点。其中片上太赫兹天线采用小环天线的形式,同时利用人工磁导体(AMC)提高天线性能。这种天线仅使用了CMOS工艺中的金属互连线来实现,因此同传统的CMOS工艺兼容。天线实现了3dB的增益,天线的直径为98微米。本文也提出一种新型人工磁导体的结构,这种结构可以在单位面积上实现更多的结构单元,并且和CMOS工艺相兼容。片上太赫兹检波器采用MOS管实现,MOS管沟道中太赫兹波的传输具有等离子体波传输的特点,利用这一特点可以实现检波功能。本文对MOS管沟道中太赫兹波的传输问题进行数学建模,并利用模型的解,结合TSMC180nm的工艺参数,设计了基于MOS管的太赫兹检波器。MOS管沟道的长为180纳米,宽为1微米,理论实现了88V/W的响应率和45nV/√Hz的等效噪声功率。天线与MOS管检波器间的阻抗匹配网络完全采用CMOS工艺中的金属互连线实现,因此也与CMOS工艺完全兼容。整个基于CMOS工艺的太赫兹成像检波单元的响应率为160V/W,等效噪声功率为25nV/√Hz。
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