近几年,组分接近于准同型相界的PZT薄膜已经被应用于MEMS工艺各领域。提高PZT薄膜的各项性能依然是目前十分热门的课题。本文对PZT的改性方法进行了研究,具体内容如下:（1）Ti原子对锆钛酸铅薄膜晶向和电学性能的影响。首先研究Ti缓冲层对PZT薄膜各项性能指标的影响。用磁控溅射仪在表面氧化的硅片上溅射金属得到Pt/Ti-buff/Pt/Ti/SiO₂/Si底电极结构,通过控制溅射的靶材和时间来控制Ti缓冲层的位置,得到底电极。用溶胶凝胶法制备PZT薄膜,并将其与不含Ti缓冲层的Pt/Ti/SiO₂/Si底电极结构上制备的PZT进行对比。其次研究不同Ti含量的Ti-Pt合金电极对PZT性能的影响。用磁控溅射仪制备Ti-Pt Alloy/Ti/SiO₂/Si底电极,用溶胶凝胶法在其表面制备PZT薄膜,并将其与不含合金的Pt/Ti/SiO₂/Si底电极结构上制备的PZT进行对比。（2）铈（Ce）掺杂对PZT薄膜晶向和电学性能的影响。通过溶胶凝胶法制备掺杂浓度分别为0.1%,0.5%,1%,2%和3%的Ce掺杂PCZT薄膜。并将掺杂锆钛酸铅薄膜的晶向,微观结构,介电性能,铁电性能,抗疲劳性能和振动性能与未掺杂PZT薄膜进行对比,得到Ce掺杂对PZT各项性能指标的影响。（3）一种低成本的PYN-PZT薄膜的制备方法。用三水合乙酸铅沉淀溶解于醋酸溶液中的草酸铌得到醋酸铌溶液,将醋酸铌作为PYN-PZT薄膜的铌源,硝酸钇作为PYN-PZT薄膜的钇源制备PYN-PZT薄膜。并将PYN-PZT薄膜的晶向,介电性能,铁电性能和振动性能与PZT薄膜进行了比较。得到了一种低成本制备PYN-PZT薄膜的方法。（4）新型溶胶凝胶法制备PZT厚膜的工艺探索。通过对PZT前驱液的热处理得到PZT粉末。将PZT粉末和PZT前驱液混合得到PZT粉体液。通过在底电极上按2层PZT粉体液+6层PZT前驱液的旋涂工艺重复5次制备得到5微米厚的PZT厚膜。（5）运用MEMS工艺制作了以上述PZT薄膜为驱动材料的压电微执行器,并表征了其振动性能。