【摘 要】
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该论文主要运用传递矩阵理论研究了台阶垒及多势构成的半导体超晶格结构中电子的隧穿输运现象.(1)台阶垒是介于单势垒与非对称双势垒之间的一类新颖的中间量子结构,其某些隧
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该论文主要运用传递矩阵理论研究了台阶垒及多势构成的半导体超晶格结构中电子的隧穿输运现象.(1)台阶垒是介于单势垒与非对称双势垒之间的一类新颖的中间量子结构,其某些隧穿输运性质既优越于单势垒又优越于非对称双势结构.这里虑及电子纵向、横向运动的耦合效应,发现随着纵向入射能量变化电子传输几率的共振峰随电子横向波数的增在发生了左移;加纵向磁场时,考虑到电子磁耦合效应,随磁场的增加或朗道量子数的增大,共振峰也发生了左移.(2)该文研究了由两种不同势垒相间周期排列而成的超晶格结构.电子隧穿这种结构时发生共振劈裂现象.考虑到电子纵、横向运动的耦合效应,劈裂的共振随电子横向波数的增大类似地发生了左移;加纵向磁场时及电子磁耦合效应,随磁场的增加或朗道量子数的增大,共振峰同样地左移.这种左移可用"有效势垒"理论或加磁场后能带结构的改变理论来解释.
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