随着技术节点降到14nm及以下,为了满足集成电路发展的要求,钴以其较低的电阻率、良好的台阶覆盖性、良好的黏附性和阻挡铜扩散性替代了性能较差的钽,成为新型阻挡层材料之一。国际上应用规模较大的酸性抛光液中加入缓蚀剂（BTA）,导致机械作用力强、清洗困难、易腐蚀设备且高成本。研发不含BTA的碱性抛光液是目前国际上亟需攻关的技术。本文采用单因素实验和正交实验的方法,应用电离、螯合、吸附、氧化、钝化等理论和活性剂的特征,研究了基于FA/OⅡ和FA/OⅠ螯合剂体系下的pH值、H₂O₂、FA/O螯合剂、FA/O型活性剂、AESA、1,2,4-三氮唑等组分对铜钴界面电偶腐蚀的影响规律与机理,研发出具有最小界面电偶腐蚀的CMP抛光液。同时利用电化学方法,从接触腐蚀电位角度研究了由不同浓度FA/OⅡ和0.1%H₂O₂组成的抛光液以及含有活性剂和1,2,4-三氮唑的抛光液的稳定性。研究得出抛光液组分为0.05%FA/O螯合剂,0.1%H₂O₂,345ppm 1,2,4-三氮唑时,Co/Cu的腐蚀电位差降到1mV,界面电偶腐蚀电流密度由通常的几个μA·cm^-2降到0.02nA·cm^-2,有效地降低了界面电偶腐蚀,同时,在低压力（1psi）低磨料（0.5%）下钴和铜的速率选择比为1.32:1,可有助于修正碟形坑和蚀坑。基于以上的研究,为了获得较好的稳定性,研究了基于甘氨酸体系的各组分对Co/Cu界面电偶腐蚀的规律,并对具有较小界面电偶腐蚀的组分进行了抛光和静态腐蚀方面的研究。稳定性由FA/O螯合剂体系的5天提高到21天。对今后更加深入的研究14nm及以下Co CMP提供了理论指导。