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光解水是解决能源问题的重要途径之一,如何提高半导体光电极的分解水性能是这一领域研究的热点问题。因此我们构建了三维孔道N型宏孔Si/Ti O2纳米线异质结构来作为光电极。本文通过光辅助电化学腐蚀法制备了N型宏孔硅衬底,利用硅的各向异性腐蚀特性对宏孔硅整形,通过水热法将Ti O2纳米线覆载到宏孔硅上从而得到了三维N型Si/Ti O2异质结构。通过XRD、扫描电镜、EDX等实验表征,证实了N型宏孔Si/Ti O2纳米线异质结构的形成。通过紫外-可见漫反射光谱实验,发现N型宏孔硅与Ti O2纳米线的复合异质